――2025年3月期決算を起点に読む中期シナリオ――
【イントロダクション】
生成AIの爆発的普及が先端ロジックと高帯域メモリ（HBM）への投資を引き戻し、半導体装置サイクルは底入れの兆しを見せている。装置専業最大手の一角・東京エレクトロン（TEL）は、ハイエンド成膜・エッチ分野で高シェアを握る“市況感度の高い優良株”。本稿では①世界半導体市況の最新トレンド、②TELの業績と設備投資、③投資家が注視すべきリスクと機会を整理する。
【1 世界半導体市況：回復フェーズへの移行】
・WSTS（世界半導体市場統計）は2025年の半導体売上高を前年比11.2％増の6,970億ドルと予測。ロジックとメモリだけで4,000億ドルを超える水準へ戻る見通しを示した。
・装置側ではSEMIが2024年の前工程装置ビリングスを1,171億ドルと発表し、2025年に1,210億ドル、2026年には1,390億ドルと過去最高を更新すると予測している。
・足元のメモリ市況はDDR5／HBM主導で反転。TrendForceはDDR4スポット価格が2025年3月時点で底打ちし、2Q25に0〜5％の上昇とレポート。
【2 東京エレクトロンの業績スナップショット】
・2025年3月期（FY2025）は顧客の先端・成熟ノード投資再開を背景に、売上高2兆4,315億円（前年+32.8％）、営業利益6,973億円（同+52.8％）と過去最高を更新。ROEは30.3％へ急伸した。
・地域別では中国比率が4Q25に34％まで低下する一方、韓国・台湾が伸長し、需要の地理的分散が進行。ロジック／ファウンドリ向けが依然62％を占めるが、HBMけん引でDRAM構成比が31％へ上昇。
【3 設備投資計画：FY2025からFY2026へ】
・FY2025の設備投資は1,621億円（前年+33％）。宮城・九州の新R&D棟建設と評価装置調達が主因で、同年のR&D費2,500億円と併せて先行投資を強化した。
・トヨケイオンラインによれば、FY2026（2026年3月期）の設備投資は前年比約43％増を計画し、EUV対応プロセス、GAA（ゲート・オール・アラウンド）量産向けプラットフォーム、HBM後工程向け成膜装置などに重点配分する方針という。
・キャッシュフローは営業CF6,900億円、フリーCF5,300億円と潤沢であり、自己株取得と増配余地も確保。FY2025の総還元性向は120％に到達した。
【4 戦略的焦点】
①先端ロジック：GAA/CFET世代に対応する高選択エッチ装置とスペーサーデポ装置でTSMC・Samsungの量産ロードマップに深くコミット。
②HBMメモリ：3D積層枚数が増すにつれプラズマクリーナやバンプ成膜装置の単価が上昇、サービス収益（Field Solutions）がFY25で5,383億円と前年+26％の伸びを維持。
③地政学リスク回避：中国向けシェア縮小を補うため、台湾・韓国・米国ファブへの拠点拡張を計画。EUV後工程や先端パッケージ拠点をアリゾナ、シンガポールに分散。
【5 リスクとチェックポイント】
・米中輸出規制強化が続く場合、前倒し需要の反動減がFY2026前半に顕在化する恐れ。
・AI投資サイクルが想定を下回ればHBM関連装置の稼働率が低下。
・円レートは輸出・輸入双方に影響は限定的と説明するが、資材高騰は粗利47％維持に逆風。
【6 投資評価とまとめ】
半導体装置サイクルは2024年が底、2025年はメモリ主導で回復、2026年に前工程・後工程とも過去最高更新というSEMIシナリオがベース。TELはFY2026に向けて約40％の積極投資を掲げ、市場シェアを拡大させる好機にある。足許のPER（予想18～19倍）は過去5年平均（23倍）を下回り、装置サイクル上昇と利益成長を織り込む余地があるとみる。中国需要鈍化リスクを監視しつつ、①HBM拡大ペース、②GAA量産タイムライン、③設備投資の実行進捗を四半期ごとにフォローしたい。
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